中科院半导体研究所 韩培德：太阳电池受激发光成像的原理与应用

太阳电池是一个超大面积的pn结半导体器件，其材料和器件参数的均匀性越来越受到重视，为此，许多平面成像的方法应运而生。受激发光成像包含了电致发光成像和光致发光成像，前者是对完整的电池进行电激发，已广泛应用于电池组件的裂纹、位错团的观测；而后者是对材料进行光激发，但因其设备价格昂贵而仅在少数企业的实验室里配置。除对电池的缺陷密度进行平面表征外，受激发光还可以通过探测到的单元发光强度推算出电池各点的少数载流子扩散长度，这一非接触探测的优点将促使光致发光设备在工艺监测中的广泛应用。为此，就太阳电池受激发光成像的原理和应用做一概括介绍。